本标准规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的方法。
本标准适用于半导体化学机械抛光(CMP)中抛光液用的各种硅溶胶。
标准编号:JC/T 2133-2012
标准名称:半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
英文名称:Determination of impurities in silica sol for polishing solution in semiconductor industry—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2012-12-28
实施日期:2013-06-01
标准状态:现行
起草单位:中国科学院上海硅酸盐研究所
文件格式:PDF
文件页数:11页
本标准适用于半导体化学机械抛光(CMP)中抛光液用的各种硅溶胶。
标准编号:JC/T 2133-2012
标准名称:半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
英文名称:Determination of impurities in silica sol for polishing solution in semiconductor industry—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
发布日期:2012-12-28
实施日期:2013-06-01
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