本标准规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）法测定半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的方法。
本标准适用于半导体化学机械抛光（CMP）中抛光液用的各种硅溶胶。
标准编号：JC/T 2133-2012
标准名称：半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
英文名称：Determination of impurities in silica sol for polishing solution in semiconductor industry—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2012-12-28
实施日期：2013-06-01
标准状态：现行
起草单位：中国科学院上海硅酸盐研究所
文件格式：PDF
文件页数：11页
本标准适用于半导体化学机械抛光（CMP）中抛光液用的各种硅溶胶。
标准编号：JC/T 2133-2012
标准名称：半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
英文名称：Determination of impurities in silica sol for polishing solution in semiconductor industry—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method
发布部门：中华人民共和国工业和信息化部
发布日期：2012-12-28
实施日期：2013-06-01
标准状态：现行
起草单位：中国科学院上海硅酸盐研究所
文件格式：PDF
文件页数：11页